在02國家重大專項的支持下，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所在石墨烯研究中取得新進展：采用銅蒸氣輔助，在Cu-Ni合金襯底上實現(xiàn)AB堆垛雙層石墨烯（ABBG）的快速生長，典型單晶疇尺寸約300微米，生長時間約10分鐘，速度比現(xiàn)有報道提高約一個數(shù)量級。

      研究論文于2月24日在small上在線發(fā)表（C.Yang,etal.,Copper-Vapor-AssistedRapidSynthesisofLargeAB-StackedBilayerGrapheneDomainsonCu-NiAlloy,DOI:10.1002/smll.201503658）。

　　ABBG可以通過電場產(chǎn)生可調(diào)帶隙，對于石墨烯在邏輯器件及光電子器件等方向的應(yīng)用具有重要價值，但如何快速生長大晶疇ABBG仍然是一個亟待解決的技術(shù)難題。傳統(tǒng)Cu襯底上的表面催化機理由于自限制效應(yīng)嚴(yán)重阻礙了第二層石墨烯的生長，而Ni襯底上的溶解析出機制存在層數(shù)不均、晶核大小難以控制等難題。

　　上海微系統(tǒng)所石墨烯研究團隊近期采用Cu-Ni合金在國際上首次報道了1.5英寸石墨烯單晶的超快生長，論文在NatureMaterial上發(fā)布(DOI:10.1038/nmat4477)。在此基礎(chǔ)上，通過引入銅蒸氣，實現(xiàn)了大晶疇ABBG的快速生長。銅蒸氣的參與降低了Cu-Ni合金襯底表面第一層石墨烯的生長速度，提高了融入襯底的活性碳原子濃度，而融入襯底的碳原子通過等溫析出形成了和第一層石墨烯具有嚴(yán)格取向關(guān)系的大晶疇ABBG。與現(xiàn)有文獻相比，Cu蒸汽和Cu-Ni合金的協(xié)同效應(yīng)將ABBG的生長速度提高約一個數(shù)量級。該研究為ABBG的規(guī)模制備打通了一條重要的技術(shù)路徑，為探索AB堆垛雙層石墨烯在微電子和光電子器件方向的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

　　                     上海微系統(tǒng)所實現(xiàn)AB堆垛雙層石墨烯的快速生長